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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,5A; Idm: 25A; 1,6W


Cantidad:  unidades  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-FDC8886
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDC8886
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: SuperSOT-6
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 6,5A
Resistencia en estado de transferencia: 36mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 7,4nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: PowerTrench®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 25A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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€ 0,24
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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