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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
N.º art.:
     6Q9VB-FDD86102LZ
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDD86102LZ
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 35A
Resistencia en estado de transferencia: 40mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 54W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 26nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: PowerTrench®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
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Accesorios
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Tipo
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Accesorios
Módulo controlador de puerta IR2117SPBF, CMOS, LSTTL 500 mA SOIC 8N 8 pines
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IR2117SPBF
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