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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-FDMC4D9P20X8
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDMC4D9P20X8
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: PQFN8
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -47A
Resistencia en estado de transferencia: 16,4mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 40W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 109nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: -335A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.