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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-FDMD8260L
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDMD8260L
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: PQFN12
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 40A
Resistencia en estado de transferencia: 8,7mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Poder disipado: 37W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 68nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 293A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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