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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 299A; 33W; PQFN8


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-FDMD86100
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDMD86100
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: PQFN8
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 24A
Resistencia en estado de transferencia: 19,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Poder disipado: 33W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 30nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 299A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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