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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-FDMS4435BZ
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDMS4435BZ
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: Power56
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: -18A
Resistencia en estado de transferencia: 37mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 39W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 47nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: -50A
Otros conceptos de búsqueda: mosfet de potencia
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