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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12,5A; Idm: 91A; 2,5W; SO8


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12,5A; Idm: 91A; 2,5W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12,5A; Idm: 91A; 2,5W; SO8
N.º art.:
     6Q9VB-FDS8876
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDS8876
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: SO8
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 12,5A
Resistencia en estado de transferencia: 14,1mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 2,5W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 36nC
Tecnología: PowerTrench®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 91A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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