Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-30V

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N.º art.:
6Q9VB-FDS8958A

N.º fabricante:
FDS8958A

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Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: SO8
Tensión drenaje-fuente: 30/-30V
Corriente del drenaje: 7/-5A
Resistencia en estado de transferencia: 40/80mΩ
Tipo de transistor: N/P-MOSFET
Poder disipado: 1,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: PowerTrench®
Clase de transistor: par complementario
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V

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Precios: Almacén 6Q9VB

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