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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8,05A; Idm: -45,6A; 53W


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8,05A; Idm: -45,6A; 53W
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8,05A; Idm: -45,6A; 53W
N.º art.:
     6Q9VB-FQB11P06TM
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQB11P06TM
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK
Tensión drenaje-fuente: -60V
Corriente del drenaje: -8,05A
Resistencia en estado de transferencia: 0,175Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 53W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 17nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: -45,6A
Resumen de condiciones1
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