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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
N.º art.:
     6Q9VB-FQB33N10LTM
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQB33N10LTM
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 23A
Resistencia en estado de transferencia: 55mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 127W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 40nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: QFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 132A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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