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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
N.º art.:
     6Q9VB-FQB8N60CTM
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQB8N60CTM
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 4,6A
Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 147W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 36nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: QFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 30A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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