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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2,65A; Idm: 16,8A; 140W; I2PAK


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-FQI4N90TU
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQI4N90TU
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: I2PAK
Tensión drenaje-fuente: 900V
Corriente del drenaje: 2,65A
Resistencia en estado de transferencia: 3,3Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 140W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 30nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 16,8A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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