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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-FQI5N60CTU
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQI5N60CTU
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: I2PAK
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 2,6A
Resistencia en estado de transferencia: 2,5Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 100W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 19nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 18A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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