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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-FQU1N60CTU
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQU1N60CTU
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: IPAK
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 0,6A
Resistencia en estado de transferencia: 11,5Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 28W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 6,2nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 4A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.