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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,en cascada; 650V


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,en cascada; 650V
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,en cascada; 650V
N.º art.:
     6Q9VB-GAN063-650WSAQ
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     GAN063-650WSAQ
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo de un...
JFET
Transistores de efecto de campo de ...
MOSFET
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: THT
Carcasa: TO247;SOT429
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 24,4A
Resistencia en estado de transferencia: 50mΩ
Tipo de transistor: N-JFET/N-MOSFET
Poder disipado: 143W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 15nC
Tecnología: GaN
Clase de transistor: en cascada;HEMT
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 150A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.