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Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-GD10PJX65L2S
Fabricante:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N.º fabricante:
     GD10PJX65L2S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Carcasa: L2.5
Tensión de retorno máx.: 650V
Estructura del semiconductor: diodo/transistor
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 10A
Corriente de colector en impulso: 20A
Precio unitario: No
Montaje eléctrico: Press-in PCB
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
Tecnología: Trench FS IGBT
Topología: rectificador de 3-fásico;termistor NTC;boost chopper;Salida OE del puente IGBT trifásico
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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