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Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-GD15PJY120L2S
Fabricante:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N.º fabricante:
     GD15PJY120L2S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Carcasa: L2.2
Tensión de retorno máx.: 1,2kV
Estructura del semiconductor: diodo/transistor
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 15A
Corriente de colector en impulso: 30A
Montaje eléctrico: Press-in PCB
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
Tecnología: Advanced Trench FS IGBT
Topología: rectificador de 3-fásico;termistor NTC;boost chopper;Salida OE del puente IGBT trifásico
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, módulo igbt
Resumen de condiciones1
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