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Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-GD200HFU120C2S
Fabricante:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N.º fabricante:
     GD200HFU120C2S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistores
Transistor
Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Carcasa: C2 62mm
Tensión de retorno máx.: 1,2kV
Estructura del semiconductor: transistor/transistor
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 200A
Corriente de colector en impulso: 400A
Montaje eléctrico: atornillado;FASTON terminales
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
Tecnología: NPT Ultra Fast IGBT
Topología: medio puente IGBT
Otros conceptos de búsqueda: módulo igbt
Resumen de condiciones1
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