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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-HS8K1TB
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     HS8K1TB
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: uDFN8
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 10/11A
Resistencia en estado de transferencia: 20/16,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Poder disipado: 2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 6/7,4nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 40...44A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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