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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-IMW65R027M1HXKSA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMW65R027M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 39A
Resistencia en estado de transferencia: 35mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 189W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Tecnología: SiC;CoolSiC™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -5...23V
Corriente del drenaje en impulso: 185A
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
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Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS 10 A PG-DSO-8 8 pines
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partir de € 0,95*
Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A PG-DSO-16 16 pines
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
a partir de € 3,87*
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