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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO263-3


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO263-3
N.º art.:
     6Q9VB-IPB65R110CFDATMA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB65R110CFDATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: PG-TO263-3
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 31,2A
Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 277,8W
Polarización: unipolar
Tecnología: CoolMOS™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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