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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,1A; 208W; PG-TO252-3


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,1A; 208W; PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,1A; 208W; PG-TO252-3
N.º art.:
     6Q9VB-IPD65R250E6XTMA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPD65R250E6XTMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: PG-TO252-3
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 16,1A
Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 208W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: CoolMOS™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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