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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
N.º art.:
     6Q9VB-IPI032N06N3GAKSA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPI032N06N3GAKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Carcasa: PG-TO262-3
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 120A
Resistencia en estado de transferencia: 3,2mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 188W
Polarización: unipolar
Tecnología: OptiMOS™ 3
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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