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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-IPP05CN10NGXKSA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPP05CN10NGXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Carcasa: PG-TO220-3
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 100A
Resistencia en estado de transferencia: 5,4mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 300W
Polarización: unipolar
Tecnología: OptiMOS™ 2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 400A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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