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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 89W; DirectFET


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 89W; DirectFET
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 89W; DirectFET
N.º art.:
     6Q9VB-IRF6618TRPBF
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF6618TRPBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: DirectFET
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 29A
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 89W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: bobina
Tecnología: HEXFET®
Clase de canal: enriquecido
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 1,95*
  
Precio válido a partir de 4.800 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 4.800 unidades
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