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Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1,7A; 1,25W; SO8


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1,7A; 1,25W; SO8
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1,7A; 1,25W; SO8
N.º art.:
     6Q9VB-IRF7504TRPBF
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF7504TRPBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: SO8
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -1,7A
Tipo de transistor: P-MOSFET x2
Poder disipado: 1,25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: bobina
Tecnología: HEXFET®
Clase de canal: enriquecido
Otros conceptos de búsqueda: mosfet de potencia
Resumen de condiciones1
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