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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8,5A; 2,1W; PQFN2X2


Cantidad:  envase  
Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8,5A; 2,1W; PQFN2X2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8,5A; 2,1W; PQFN2X2
N.º art.:
     6Q9VB-IRLHS6342TRPBF
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRFHM6342TR2PBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: PQFN2X2
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 8,5A
Resistencia en estado de transferencia: 15,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 2,1W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
Propiedades de elementos semiconductores: logic level
Carga de puerta: 11nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: HEXFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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