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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268


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Información de productos
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268
N.º art.:
     6Q9VB-IXBT42N170A
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXBT42N170A
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor SMD
Transistores SMD
Transistores
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: TO268
Tensión colector-emisor: 1,7kV
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 21A
Corriente de colector en impulso: 265A
Tiempo de conexión: 33ns
Tiempo de desconexión: 308ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 357W
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Propiedades de elementos semiconductores: de alta tensión
Carga de puerta: 188nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: BiMOSFET™
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor smd
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