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Módulo; transistor individual; 650V; 108A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Módulo; transistor individual; 650V; 108A; SOT227B; atornillado
Módulo; transistor individual; 650V; 108A; SOT227B; atornillado
N.º art.:
     6Q9VB-IXFN120N65X2
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN120N65X2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 220ns
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 108A
Resistencia en estado de transferencia: 24mΩ
Poder disipado: 890W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 240nC
Tecnología: HiPerFET™;X2-Class
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±40V
Corriente del drenaje en impulso: 240A
Resumen de condiciones1
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a partir de 3000 unidades
€ 39,73*
€ 48,07
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.