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Módulo; transistor individual; 250V; 168A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Módulo; transistor individual; 250V; 168A; SOT227B; atornillado
Módulo; transistor individual; 250V; 168A; SOT227B; atornillado
N.º art.:
     6Q9VB-IXFN180N25T
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN180N25T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 200ns
Tensión drenaje-fuente: 250V
Corriente del drenaje: 168A
Resistencia en estado de transferencia: 12,9mΩ
Poder disipado: 900W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 364nC
Tecnología: GigaMOS™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 500A
Resumen de condiciones1
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