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Módulo; transistor individual; 200V; 220A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Módulo; transistor individual; 200V; 220A; SOT227B; atornillado
Módulo; transistor individual; 200V; 220A; SOT227B; atornillado
N.º art.:
     6Q9VB-IXFN230N20T
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN230N20T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 200ns
Tensión drenaje-fuente: 200V
Corriente del drenaje: 220A
Resistencia en estado de transferencia: 7,5mΩ
Poder disipado: 1090W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 358nC
Tecnología: GigaMOS™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 630A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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