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Módulo; transistor individual; 1,2kV; 23A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 23A; SOT227B; atornillado
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 23A; SOT227B; atornillado
N.º art.:
     6Q9VB-IXFN26N120P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN26N120P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 23A
Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω
Poder disipado: 695W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 255nC
#Acciones #promocionales: ixys_202106;aac_202202
Tecnología: HiPerFET™;Polar™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±40V
Corriente del drenaje en impulso: 60A
Resumen de condiciones1
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a partir de 5 unidades
€ 57,26*
€ 69,28
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a partir de 10 unidades
€ 50,04*
€ 60,55
por unidad
a partir de 20 unidades
€ 48,58*
€ 58,78
por unidad
a partir de 3000 unidades
€ 44,47*
€ 53,81
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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