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Módulo; transistor individual; 800V; 29A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Módulo; transistor individual; 800V; 29A; SOT227B; atornillado
Módulo; transistor individual; 800V; 29A; SOT227B; atornillado
N.º art.:
     6Q9VB-IXFN32N80P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN32N80P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 250ns
Tensión drenaje-fuente: 800V
Corriente del drenaje: 29A
Resistencia en estado de transferencia: 0,27Ω
Poder disipado: 625W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 150nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: HiPerFET™;PolarHV™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±40V
Corriente del drenaje en impulso: 250A
Resumen de condiciones1
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a partir de 5 unidades
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€ 29,40
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a partir de 3000 unidades
€ 21,12*
€ 25,56
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.