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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
N.º art.:
     6Q9VB-IXFT20N100P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFT20N100P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: TO268
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: 1kV
Corriente del drenaje: 20A
Resistencia en estado de transferencia: 570mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 660W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 126nC
Tecnología: HiPerFET™;Polar™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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