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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
N.º art.:
     6Q9VB-IXFT320N10T2
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFT320N10T2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: TO268
Tiempo de disponibilidad: 98ns
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 320A
Resistencia en estado de transferencia: 3,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1kW
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: thrench gate power mosfet
Carga de puerta: 430nC
Clase de canal: enriquecido
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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