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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-IXFY4N60P3
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFY4N60P3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: TO252
Tiempo de disponibilidad: 250ns
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 4A
Resistencia en estado de transferencia: 2,4Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 114W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 6,9nC
Tecnología: HiPerFET™;Polar3™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 8A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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