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Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
N.º art.:
     6Q9VB-IXGN50N120C3H1
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXGN50N120C3H1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistores
Transistor
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Tensión de retorno máx.: 1,2kV
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 50A
Corriente de colector en impulso: 240A
Poder disipado: 460W
Precio unitario: No
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
#Acciones #promocionales: ixys_202106;aac_202202
Tecnología: GenX3™;PT
Resumen de condiciones1
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€ 31,04*
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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