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Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 32A; 350W; TO268


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Información de productos
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 32A; 350W; TO268
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 32A; 350W; TO268
N.º art.:
     6Q9VB-IXGT32N170
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXGT32N170
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor SMD
Transistores SMD
Transistores
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: TO268
Tensión colector-emisor: 1,7kV
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 32A
Corriente de colector en impulso: 200A
Tiempo de conexión: 90ns
Tiempo de desconexión: 920ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 350W
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: de alta tensión
Carga de puerta: 155nC
Tecnología: NPT
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor smd
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