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Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3,6A; Idm: 8A; 100W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3,6A; Idm: 8A; 100W
Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3,6A; Idm: 8A; 100W
N.º art.:
     6Q9VB-IXTA4N80P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTA4N80P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: TO263
Tiempo de disponibilidad: 560ns
Tensión drenaje-fuente: 800V
Corriente del drenaje: 3,6A
Resistencia en estado de transferencia: 3,4Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 100W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: standard power mosfet
Carga de puerta: 14,2nC
Tecnología: PolarHV™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 8A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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