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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
N.º art.:
     6Q9VB-IXTH120P065T
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTH120P065T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tiempo de disponibilidad: 53ns
Tensión drenaje-fuente: -65V
Corriente del drenaje: -120A
Resistencia en estado de transferencia: 10mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 298W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 185nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: TrenchP™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±15V
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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