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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns
N.º art.:
     6Q9VB-IXTH200N10T
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTH200N10T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tiempo de disponibilidad: 76ns
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 200A
Resistencia en estado de transferencia: 5,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 550W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: thrench gate power mosfet
Carga de puerta: 152nC
Clase de canal: enriquecido
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
Resumen de condiciones1
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