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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 2,5A; 110W; ISO247™; 900ns


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 2,5A; 110W; ISO247™; 900ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 2,5A; 110W; ISO247™; 900ns
N.º art.:
     6Q9VB-IXTJ4N150
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTJ4N150
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Carcasa: ISO247™
Tiempo de disponibilidad: 900ns
Tensión drenaje-fuente: 1,5kV
Corriente del drenaje: 2,5A
Resistencia en estado de transferencia: 6Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 110W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 44,5nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
Resumen de condiciones1
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