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Módulo; transistor individual; -200V; -106A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Módulo; transistor individual; -200V; -106A; SOT227B; atornillado
Módulo; transistor individual; -200V; -106A; SOT227B; atornillado
N.º art.:
     6Q9VB-IXTN120P20T
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTN120P20T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: -200V
Corriente del drenaje: -106A
Resistencia en estado de transferencia: 30mΩ
Poder disipado: 830W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 740nC
#Acciones #promocionales: ixys_202106;aac_202202
Tecnología: TrenchP™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±15V
Corriente del drenaje en impulso: -400A
Resumen de condiciones1
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a partir de 5 unidades
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€ 65,44
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€ 57,61
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a partir de 20 unidades
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€ 54,83
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a partir de 3000 unidades
€ 40,81*
€ 49,38
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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