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Módulo; transistor individual; 1kV; 30A; SOT227B; atornillado


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Información de productos
Módulo; transistor individual; 1kV; 30A; SOT227B; atornillado
Módulo; transistor individual; 1kV; 30A; SOT227B; atornillado
N.º art.:
     6Q9VB-IXTN30N100L
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTN30N100L
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 1µs
Tensión drenaje-fuente: 1kV
Corriente del drenaje: 30A
Resistencia en estado de transferencia: 0,45Ω
Poder disipado: 800W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 545nC
Tecnología: Linear™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±40V
Corriente del drenaje en impulso: 70A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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