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Módulo; transistor individual; 300V; 80A; SOT227B; atornillado


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Información de productos
Módulo; transistor individual; 300V; 80A; SOT227B; atornillado
Módulo; transistor individual; 300V; 80A; SOT227B; atornillado
N.º art.:
     6Q9VB-IXTN80N30L2
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTN80N30L2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 485ns
Tensión drenaje-fuente: 300V
Corriente del drenaje: 80A
Resistencia en estado de transferencia: 38mΩ
Poder disipado: 735W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 660nC
Tecnología: Linear L2™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 200A
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 20 unidades
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€ 37,69
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a partir de 3000 unidades
€ 26,83*
€ 32,46
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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