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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1,4A; Idm: 3A; 63W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1,4A; Idm: 3A; 63W
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1,4A; Idm: 3A; 63W
N.º art.:
     6Q9VB-IXTP1R4N100P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTP1R4N100P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB
Tiempo de disponibilidad: 750ns
Tensión drenaje-fuente: 1kV
Corriente del drenaje: 1,4A
Resistencia en estado de transferencia: 11,8Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 63W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Propiedades de elementos semiconductores: standard power mosfet
Carga de puerta: 17,8nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: Polar™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 3A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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