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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
N.º art.:
     6Q9VB-IXTR210P10T
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTR210P10T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Carcasa: ISOPLUS247™
Tiempo de disponibilidad: 200ns
Tensión drenaje-fuente: -100V
Corriente del drenaje: -195A
Resistencia en estado de transferencia: 8mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 390W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 740nC
Tecnología: TrenchP™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±15V
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.