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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
N.º art.:
     6Q9VB-IXTT10N100D
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTT10N100D
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: TO268
Tiempo de disponibilidad: 850ns
Tensión drenaje-fuente: 1kV
Corriente del drenaje: 10A
Resistencia en estado de transferencia: 1,4Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 400W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 130nC
Clase de canal: empobrecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 20A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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