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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
N.º art.:
     6Q9VB-IXTT10P60
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTT10P60
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: TO268
Tiempo de disponibilidad: 0,5µs
Tensión drenaje-fuente: -600V
Corriente del drenaje: -10A
Resistencia en estado de transferencia: 1Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 300W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 135nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resumen de condiciones1
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Precio
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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