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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; 176ns


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; 176ns
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; 176ns
N.º art.:
     6Q9VB-IXTX170P10P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTX170P10P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Carcasa: PLUS247™
Tiempo de disponibilidad: 176ns
Tensión drenaje-fuente: -100V
Corriente del drenaje: -170A
Resistencia en estado de transferencia: 14mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 890W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 240nC
Tecnología: TrenchP™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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